ASML・TSMC・imec、300mmウェハーで2次元材料トランジスタの量産化ルートを実証
ASML、TSMC、imecは300mmウェハー上でMoS2をチャネルにしたn型FETと、WS2またはWSe2を用いたp型FETを、50nmのコンタクトポリピッチで実装する統合プロセスを実証した。これにより、2次元材料を用いたトランジスタの量産化に向けた技術的ハードルが大幅に下がった。 この成果は、次世代ポストシリコン技術として期待される2D半導体の実用化を加速させる。ASMLのEUVリソグラフィ技術とTSMCのファウンドリ能力、imecの材料研究が融合したことで、後工程への適合性やスループットが示され、業界全体での採用検討が進む見通しだ。
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Sources
ASML, TSMC, and imec have demonstrated a major advance in the effort to bring two-dimensional (2D) semiconductor materials from research laboratories into high-volume semiconductor manufacturing. At the 2026 IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology and Circuits,
At the recent 2026 IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology and Circuits, imec, in partnership with the lithography solution provider ASML, and semiconductor foundry TSMC, presented a novel, robust and scalable 300mm integration route for 2D-material based n and pFETs.
Imec, ASML and TSMC develop integration route for 2D-material based nFETs and pFETs
Imec, ASML and TSMC have come up with a novel, robust and scalable 300mm integration route for 2D-material based n and pFETs. For the first time, scaled nFETs (implementing MoS2 as the channel material) and pFETs (either WS2 or WSe2-based) with 50nm contacted poly pitch (CPP) could be demonstrated,
Imec, ASML and TSMC have demonstrated a 300mm integration route for 2D-material n-type and p-type field-effect transistors, marking a step toward moving atomically thin channel materials from laboratory devices closer to semiconductor manufacturing.
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